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A family of skew Hadamard difference sets 总被引:1,自引:0,他引:1
Cunsheng Ding 《Journal of Combinatorial Theory, Series A》2006,113(7):1526-1535
In 1933 a family of skew Hadamard difference sets was described by Paley using matrix language and was called the Paley-Hadamard difference sets in the literature. During the last 70 years, no new skew Hadamard difference sets were found. It was conjectured that there are no further examples of skew Hadamard difference sets. This conjecture was proved to be true for the cyclic case in 1954, and further progress in favor of this conjecture was made in the past 50 years. However, the conjecture remains open until today. In this paper, we present a family of new perfect nonlinear (also called planar) functions, and construct a family of skew Hadamard difference sets using these perfect nonlinear functions. We show that some of the skew Hadamard difference sets presented in this paper are inequivalent to the Paley-Hadamard difference sets. These new examples of skew Hadamard difference sets discovered 70 years after the Paley construction disprove the longstanding conjecture on skew Hadamard difference sets. The class of new perfect nonlinear functions has applications in cryptography, coding theory, and combinatorics. 相似文献
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压印光刻中套刻需要粗、精两级对正.实验采用一对斜纹结构光栅作为对正标记.利用物镜组观察光栅标记图像的边界特征进行粗对正,其准确度在精对正信号的捕捉范围内;利用光电接收器件阵列组合接收光栅莫尔信号,在莫尔信号的线区进行精对正.由于线性区的斜率大, 精对正过程中得到相应x,y方向的对正误差信号灵敏度高,利用高灵敏度对正误差信号作为控制系统的驱动信号,对承片台进行驱动定位,实现精对正.最终使X,Y方向上的重复对正准确度分别达到了± 21 nm(± 3σ)和±24 nm(± 3σ). 相似文献
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采用低压金属有机化合物气相沉积法(LP-MOCVD)生长并制作了1.6—1.7μm大应变InGaAs/InGaAsP分布反馈激光器.采用应变缓冲层技术,得到质量良好的大应变InGaAs/InP体材料.器件采用了4个大应变的量子阱,加入了载流子阻挡层改善器件的温度特性.1.66μm和1.74μm未镀膜的3μm脊型波导器件阈值电流低(小于15mA),输出功率高(100mA时大于14mW).从10—40℃,1.74μm激光器的特征温度T0=57K,和1.55μm InGaAsP分布反馈激光器的特征温度相当.
关键词:
MOCVD
InGaAs/InGaAsP
应变量子阱
分布反馈激光器 相似文献
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对掺有镉、硒、硫的玻璃在500—800℃退火2—24h,生长了不同尺寸的CdSxSe1x纳米晶体.用分光光度计和光致发光光谱(PL)分析了纳米晶体的性能.退火温度低于550℃,纳米晶体处于成核阶段,600—625℃处于正常扩散生长阶段,700—800℃处于竞争生长阶段;而650℃处于两种生长阶段之间.虽然650℃下生长的纳米晶体的尺寸分布比较窄,但纳米晶体的尺寸随退火时间的延长几乎不变,在该温度改变退火时间很难改变纳米晶体的平均尺寸.在所有样品中出现了深能级缺陷,在650℃退火时间小于4h或大于16h有利
关键词:
纳米晶体
生长机理
深能级缺陷 相似文献
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偶氮苯衍生物三阶非线性的四波混频研究 总被引:7,自引:0,他引:7
用皮秒Nd:YAG激光器的倍频光(532nm)对具有离域π-共轭电子云结构的偶氮苯类样品材料作简并四波混频补给,测得三阶非线性电极化率x^(3)和它们的时间响应分别为10^-9esu和20ps,并对影响x^(3)的瞬时光栅作用和x^(3)的响应时间人了讨论。 相似文献
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Indirect and direct boundary integral equations equivalent to the original boundary value problem of differential equation of plane elasticity are established rigorously. The unnecessity or deficiency of some customary boundary integral equations is indicated by examples and numerical comparison. 相似文献
69.
B. Zhang S. D. Yao K. Wang D. B. Ding Beijing P.R. China Beijing P.R. China Beijing P.R 《Journal of Radioanalytical and Nuclear Chemistry》2006,269(1):9-13
Summary Department of Technical Physics, School of Physics, Peking Unive 相似文献
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